半導體泵浦激光器採用半導體發光二極管作為激光晶體的能量來源（激勵源），用波長808nm半導體發光二極管泵浦Nd：YAG介質，使介質產生大量的反轉粒子，在Q開關的作用下形成波長為1064nm的巨脈衝激光輸出。因為半導體激光器的電光轉換率較燈泵浦激光器有了較大提高，因而避免了由於發熱高所造成的輔助設備體積龐大、激光束品質欠佳等問題。是第二代激光器的代表。
獨到的特色 

  · 兼具YAG打標機的優點
· 獨特的“U”字型激光腔設計，使激光在相同功率 輸出質量更高；
· 直腔半導體機型專用於配合生產流水線及自動化生產線的設備；
· 激光品質更優（M2＜6），光斑更小，能量更集中；
· 免維護設計，無需要換耗材，平均無故障工作時間更長；
· 安裝紅光定位系統，打標操作時更方便；
· 使用新型改良水泠系統，體積更小巧，泠卻效果更佳；
 
行業應用 

  廣氾應用於電子元器件、集成電路（IC）、電工電器、手機通訊、五金制品、工具配件、精密器械、眼鏡鐘錶、首飾飾品、汽車配件、塑膠按鍵、建材、食品及藥品包裝、PVC管材、醫療器械等行業。可標記金屬及多中非金屬。更適合應用於一些要求更精細、精度更高的場合。