一 產品特點：
※ 支持熱拔插，可直接插讀卡器與電腦連接測試。
※ 同時兼容：東芝、三星、海力士、Intel 、Sandisk(新帝) 等所有同樣封裝的4BIT 、8BIT eMMC 閃存記憶體。如圖示 (只需相應PIN腳定義一樣　)；
※ 同時兼容 169-FBGA 153-FBGA ,不同尺寸IC(11.5x13,12x16,12x18,14x18mm),可自行更換限位框實現通用性降低使用成本。
※ 採用日本進口雙頭探針，性能穩定使用壽命長，使用壽命是同類產品的10倍以上；
※ 維護方便，不良探針可更換，重複利用率較高，降低使用成本。
※ 兼容有球無球測試，通用性好，降低使用成本。
※ 採用手動翻蓋式結構,操作方便簡單。
※ 採用浮板結構,定位精確,取放IC方便，工作效率更高。
※ 可進行測試和低級格式化。

二　測試
（1） 選擇和IC尺寸相同的限位框按方向裝在浮板上(標配限位框為 14X18，11.5X13 12X16 12X18 )　　　　　　　　　　　 　

（2） 把IC按方向平放入限位框內,合上socket上蓋。
（3） 選擇相對應的電壓,本測試治具默認電壓為3.3V，如果要求為1.8V請把跳帽到2～3位置，
（4） 選擇和IC相應的位數,本測試治具默認值位8BIT,如果是4BIT的,請把四位開關全部撥到OFF位置，
（5） 把eMMC 夾具按方向插在讀卡器上，打開相應的測試軟件進行測試。
三、維修與保養
在使用本產品過程中如發現測試性能不穩定，建議用以下方法解決：
a) 用手按下浮板使探針露出,用防靜電刷輕刷几遍，去除雜質,使其接觸良好;
b) 用手按下浮板使探針露出,檢查探針是否有歪和斷頭現象,如有此現象請按圖示把相應不良探針更換。
c) 如發現有大麵積接觸不良，請與我們聯繫。
d) 嚴禁用天那水、有機溶劑，浸泡、清洗。
e) 長時間不使用時，請用防靜電袋密封保存，避免灰塵落入，影響產品測試性能。
四、技術支持
對於eMMC夾具，我們提供了全方位的技術服務，您有任何問題請及時與我們取得聯繫,我們以最快的速度給予技術支援。
針對eMMC閃存記憶體，我們推出了另外兩種增值服務：
A、 eMMC閃存記憶體再利用：比如說eMMC IC主控損坏，通過我們公司的”基於Ｕ盤測試夾具”測試后可以將閃存部分沒有損坏的eMMC　IC用作Ｕ盤FLASH；
B、我們最近推出一拖四、一拖八NAND Flash燒錄器，可以實現eMMC閃存記憶體的燒錄；為客戶提供了一種快速燒錄的新選擇；
相關朮語：

1、MoviNAND：

MoviNAND是三星公司開發的一款符合eMMC標準的內嵌式存儲器（MoviNAND = High-density MLC NAND Flash & MMC controller）；是一種高容量NAND快閃記憶體解決方案；這種高密度嵌入式閃存卡採用了先進的30nm工藝，適用於高端手機和其他移動消費電子設備。MoviNAND已被世界半導體標準機構（JEDEC）和多媒體卡協會（MMCA）列入產品標準方案（eMMC）；

2、eMMC:

eMMC為MMC協會所訂立的內嵌式存儲器標準規格，主要是針對手機產品為主；eMMC結構由一個嵌入式存儲解決方案組成，帶有MMC（多媒體卡）接口、快閃存儲器設備及主控制器——所有在一個小型的BGA封裝。接口速度高達每秒52MB，eMMC具有快速、可升級的性能。同時其接口電壓可以是1.8v或者是3.3v。eMMC內嵌式存儲器，三星公司叫“MoviNAND”，而Sandisk的才叫iNAND 但原理都是一樣的都是採用MMC接口，都是按eMMC的標準的，只是每個廠家的叫法不一樣；

3、MLC：

NAND閃存可分為三大架構，分別是單層式儲存（Single Level Cell），即SLC；多層式儲存（Multi Level Cell），即MLC；多位式存儲（Multi Bit Cell），即MBC。MLC實現了一個Cell存放多個bit，是英特爾（INTEL）在1997年9月最先研發成功的，現在常見的MLC架構閃存每Cell可存放2bit，容量是同等SLC架構芯片的2倍，目前三星、東芝、海力士（Hynix）、IMFT(英特爾與美光合資公司)、瑞薩（Renesas）都是此技術的使用者，其發展速度遠快于SLC架構。