節能型IGBT晶體管中頻電源比傳統可控硅中頻電源可節能15%-25%,節能的主要原因有以下几下方面：
　　（1）逆變電壓高，電流小，線路損耗小，此部分可節能15%左右，節能型IGBT晶體管中頻電源逆變電壓為2800V，而傳統可控硅中頻電源逆變電壓僅為750V，電流小了近4倍，線路損耗大大降低。
　　（2）爐品熱損失小，由於節能型IGBT晶體管中頻電源比同等功率可控硅中頻電源一爐可快15分鐘左右，15分鐘的時間內爐口損失的熱量可占整個過程的3%，所以此部分比可控硅中頻可節能3%左右。

（3）功率因數高，功率因數始終大於0.98，無功損耗小，此部分比可控硅中頻電源節能3%-5%。由於節能型IGBT晶體管中頻電源採用了半可控整流方式，整流部分不調可控硅導通角，所以整個工作過程功率因數始終大於0.98，無功率損耗小。