ITO導電膜玻璃 　　氧化銦錫(Indium-Tin Oxide)透明導電膜玻璃,多通過ITO導電膜玻璃生產線,在高度淨化的廠房環境中,利用平面磁控技術,在超薄玻璃上濺射氧化銦錫導電薄膜鍍層並經高溫退火處理得到的高技術產品。 　　產品廣氾地用於液晶顯示器(LCD)、太陽能電池、微電子ITO導電膜玻璃、光電子和各種光學領域。 　　ITO導電膜的主要參數有：表面電阻、表面電阻的均勻性、透光率、熱穩定性、加熱收縮率、加熱捲曲等。其中光透過率主要與ITO膜所用的基底材料和ITO膜的表面電阻有關。在基底材料相同的情況下，ITO膜的表面電阻越小，ITO膜層的厚度越大，光透過率相應的會有一定程度的減小。 　　透明導電氧化膜TCO中，以摻Sn的In2O3(ITO)膜的透過率最高和導電性能最好，而且容易在酸液中蝕刻出細微的圖形，其中透光率達90%以上。ITO中其透光率和阻值分別由In2O3與Sn2O3之比例來控制，通常Sn2O3:In2O3=1:9。 　　以下是兩種不同的ITO導電膜的參數： 　　高阻抗ITO導電膜（PET-ITO） 　　高阻抗ITO導電薄膜PET-ITO主要應用於移動通訊領域的觸摸屏生產。 　　產品參數： 　　面電阻：300～500 Ω/□ 　　面電阻均勻性：MD≤±3%，TD≤±6% 　　ITO薄膜厚度：0.188±10% 　　線性度（MD）：≤1.5% 　　全光線透過率：≥86% 　　表面硬度（鉛筆硬度）：≥3H 　　熱穩定性：(R-R0)/R: ±20% 　　熱收縮率：MD≤1.0%，TD≤0.8% 　　加熱捲曲：≤10mm 　　低阻抗柔性ITO導電膜（PET-ITO） 　　適用於柔性電致變色器件、柔性薄膜太陽能電池、柔性EL發光器件的制備和生產。 　　薄膜厚度：0.175±10 mm 　　霧度：<2% 　　寬度：406/360±2 mm 　　粘附：100/100 　　捲曲：≤10 mm 　　透過率：≥ 80% 　　表面電阻：90±15 Ω/□ 　　面電阻均勻性：<7% 　　熱收縮：MD≤1.3，TD≤1.0 　　熱穩定性： 　　高溫：80oC,120hr ≤1.3 　　低溫：-40oC,120hr ≤1.3 　　熱循環：-30oC—80oC ≤1.3 　　熱/濕度： 60oC, 90% RH,120hr ≤1.3