西門康(賽米控)功率半導體模塊/西門康(賽米控)IGBT模塊/西門康(賽米控)IPM模塊/西門康(賽米控)CIB模塊/西門康(賽米控)MOSFET模塊/西門康(賽米控)可控硅模塊/西門康(賽米控)二極管模塊/西門康(賽米控)橋式整流器/西門康(賽米控)整流橋/西門康(賽米控)二極管等
SEMIKRON功率半導體模塊/SEMIKRON IGBT模塊/SEMIKRON IPM模塊/SEMIKRON CIB模塊/SEMIKRON MOSFET模塊/SEMIKRON可控硅模塊/SEMIKRON二極管模塊/SEMIKRON橋式整流器/SEMIKRON整流橋/SEMIKRON二極管
SEMiX251D12FS SEMiX341D SEMiX241DH
SKBB../..-4 SKB15 SKB30 SKB52 SKB60 SKB72
SKBaB500/445-4 MSKB250/220-1,5 MSKaB500/445-1,5 SKD30 SKD31 SKD33 SKD51
SKD53 SKD60 SKD62 SKD82 SKD83 SKD100 SKD110 SKD115 SKD145 SKD160 SKD210
SKBT28 SKBT40 SKDT60 SKDT115 SKDT145 SKCH28 SKCH40 SKBH28 SKBZ28
SKDH100 SKDH115 SKDH145 SKDH116/..-L75 SKDH146/..-L75 SKDH116/..-L100
SKDH146/..-L100 SKDH146/..-L200 SKD116/..-L75 SKD146/..-L75 SKD116/..-L100
SKD146/..-L100
SK50B06UF SK50B SK55B06F SK55B12F SK70B SK100B
SK55D SK70D SK80D12F SK95D SK55DGL126 SK74DGL063 SK95DGL126 SK40DH
SK70DH SK170DHL126 SK200DHL066 SK40DT SK70DT
通過前面對整流橋三種不同形式散熱的分析並結合對一整流橋詳細的仿真模型的分析結果，我們可以得出如下結論：1、 在計算整流橋的結溫時，其生產廠家所提供的Rjc(強迫風冷時)是指整流橋的結與散熱器相接觸的整流橋殼體表面間的熱阻；2、 器件參數中所提供的Rja是指該器件在自然冷卻是結溫與週圍環境間的熱阻；3、 對帶有散熱器的整流橋且為強迫風冷散熱地殼溫測量時，應該採用與整流橋殼體相接觸的散熱器表面溫度作為計算的殼溫，必要時可以考慮整流橋與散熱器間的接觸熱阻。不應該採用整流橋殼體正面上的溫度作為計算的殼溫，不然將會引起較大的正向誤差。