高純銦

產品描述

銦（In） Indium

1，物理性質：

原子量：114.818

電負性：1.78

密度：7.31 g/cm³ （20℃）（0-100℃）

熔點：156.5985 ℃

沸點：2072 ℃

2，規格：

化學純度：

高純銦：In-05 純度99.999%以上，銀，鋁，砷，鎘，銅，鐵，鎂，鎳，鉛，硫，硅，錫，鉈，鋅雜質總含量小於10ppm；

超純銦：In-06 純度99.9999%以上，鎘，銅，鐵，鎂，鉛，硫，硅，錫雜質總含量小於1ppm；

超高純銦：In-07 純度99.99999%以上，銀，鎘，銅，鐵，鎂，鎳，鉛，鋅雜質總含量小於0.1ppm；

3，物理性狀：棒，錠，片，粒，丸。

4，用途：

主要用於制備Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體，高純合金，超低溫冷卻，晶體管基極以及鍺，硅單晶的摻雜劑，銦封，ITO，核輻射安全監控，電接觸元件，焊料等。

5，包裝：滌綸薄膜包裝后塑料薄膜真空封裝或聚乙烯瓶真空封裝。

付款方式︰	TT