HMC1021Z單軸磁阻芯片 HMC1022雙軸磁阻芯片 
磁阻傳感器機構為四臂的惠斯通電橋，將磁場轉換成差動輸出的電壓。可檢測低至85微高斯的磁場。這兩種新的低成本型傳感器具有更小的體積和更低的功耗。

特點和優勢

更寬的磁場範圍、小體積、固態、低功耗、成本降低

型號  HMC1021/1022   

參數 條件 最小值 典型值 最大值 單位
電橋電壓 電橋電壓相對於地  5 12 V
電橋電阻 電橋電流=5mA 800 1100 1300 Ω
工作溫度 1021D工作溫度為-40~300℃ -55  150/300 ℃
儲存溫度 環境溫度 -55  175 ℃
磁場範圍 滿量程（FS）－所有施加的磁場 -6  6 Gauss
線性度誤差 最佳擬合曲線    ±1Gauss  0.05  %FS
 （25℃）        ±3Gauss  0.4  
 ±6Gauss  0.6  
遲滯誤差 ±3Guass，3次來回，@25℃  0.08  %FS
重複性誤差 ±3Guass，3次來回，@25℃  0.08  %FS
靈敏度 S/R=0.5A 0.8 1 1.2 mV/V/Gauss
噪聲密度 在1Hz時的密度，電橋電壓＝5V  48  Nv/√Hz
分辨率 帶寬＝10Hz，電橋電壓＝5V  85  μ Gauss
帶寬 磁信號（下限＝DC）  5  MHz
OFFSET電流帶 從OFFSET+ 至OFFSET- 測量 38 50 60 Ω
OFFSET電流帶電阻溫度係數 TA=-40 至125℃  3900  ppm/＆#730;C
OFFSET磁場 磁場施加在敏感軸方向 4 4.6 6 mA/guass
置位/復位電流帶 從S/R+ 至S/R- 測量 5.5 7.7 9 Ω
置位/復位電流 2μs 電流脈衝 0.5 0.5 4 A
干擾磁場 靈敏度開始下降，用S/R脈衝恢復靈敏度 20   Gauss
靈敏度溫度係數 TA=-40 至125℃     電橋電壓=5V -3200 -3000 -2800 ppm/℃
 電橋電流=5mA  -600  
電橋溫度係數 TA=-40 至125℃ 無置位/ 復位  ± 500  ppm/℃
 Vbridge=5V 有置位/ 復位  ± 10  
電阻溫度係數 電橋電壓=5V，-40～125℃  2500  ppm/℃
橫向干擾 正交磁場=1 Gauss施加磁場± 1Gauss  0.3  ％FS
最大暴露磁場 對零點無永久效果   10000 Gauss
置位/復位 S/R ≥ 0.5A   30 μV

主要特點   

可以組合成三軸（X,Y,Z)或單獨檢測1軸或2軸。1軸傳感器有8腳SIP封裝或SOIC封裝，2軸傳感器為16腳SOIC窄體封裝。

磁場範圍為正負6高斯，（地磁場為0.5高斯），仍保持很高的靈敏度，最小可檢測磁場為85微高斯。

和磁通門傳感器相比，這些小體積的傳感器減少了線路板組裝成本，增加了可靠性和堅固程度。

獲得專利的在芯片上的置位/復位和偏置電流帶進行了改進，和HMC1001/1002相比驅動置位/復位和偏置電路的電流降低了50%。供電電源為3~10VDC，降低了功耗，減少了週邊電路。

傳感器專門為一些用量很大的OEM廠家應用而設計。

 85 uGauss的分辨率

固態－可靠性提高
 

應用領域

羅盤，導航系統，姿態參照，虛擬實景，交通車輛檢測，接近檢測，醫療儀器。

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