AM005WN-BI-R的描述 

 Amcom的AM005WN-BI-R 是离散的GaN / SiC器件 

 有一个总栅宽0.5mm。它是在陶瓷 

 为经营高达12兆赫的包。双向系列用途 

 特别设计的陶瓷封装（bi-g）或弯曲 

 直（双）导致在安装方式下降。法兰 

 在包的底部同时作为 

 直流接地，射频接地，热路径。

AM005WN-BI-R的特征

高工作频率高达12 GHz

增益为15dB，p5db = 33.5dbm，PAE = 51%，漏= 56%

@ 3GHz

表面贴装

底部进行有效的热去除

AM005WN-BI-R的应用

高动态接收机

蜂窝无线基站

宽带和窄带放大器

雷达

测试仪器

军事

干扰

深圳市立维创展科技有限公司

 

黄云艳   项目销售工程师

 

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