硅片回收，線痕====硅片在切割過程中硅片表面被划傷所留下的痕跡
              崩邊=====chip晶片邊緣或表面未貫穿晶片的局部缺損區域，當崩邊在晶片邊緣長生時，其尺寸由徑向深度和週邊弦長給出
              污片：用清洗溶劑清洗不能除去的表面臟污
              穿孔：在對光源觀察時，晶片表面有用針或似用針刺的小孔。
              微晶:1CM單位長度上個數超過5個。
              隱裂：硅片表面存在不貫穿的隱形裂紋，裂紋寬度大於0.1MM。
              翹曲度：晶片中心面與基準平面之間的最大和最小距離的差值。翹曲度是晶片的體性質而不是表面特征。
              厚度：通過晶片上已給定點垂直于表面方向穿過晶片的距離。
              總厚度變化TTV：在厚度掃描或一系列點的厚度測量中，所測晶片的最大厚度與最小厚度的絕對差值
              電阻率：單位體積的材料對於兩行平行面垂直通過的電流的阻率，符號為P，單位為歐。CM 少數載流子壽命：晶體中非平衡載流子由產生到復合存在的平均時間間隔，它等於非平衡少數流子濃度衰減到起始值的1/E{E=2.718}所需時間。
              又稱少數載流子壽命，體壽命。