富士IGBT模块2MBI400VXB-330

特征
10µs短路耐受能力
高热循环能力
高电流密度增强型DMOS SPT
带有AlN基底的隔离AlSiC基底
应用
高可靠性逆变器
电机控制器
牵引驱动
切碎机
大功率模块的电源线范围包括
半桥、斩波器、双、单、双向
开关配置包括从1200V到
6500V，电流高达2400A。
DIM500GDM33-TS000是一个单开关3300V，
n沟道增强模式，绝缘栅双极性
晶体管（IGBT）模块。IGBT具有广泛的
反向偏置安全工作区（RBSOA）加10μs
短路耐受。此设备针对
牵引传动和其他要求高
热循环能力。
该模块包含一个电气隔离底座
极板低电感结构使能电路
设计师优化电路布局并利用
安全接地散热器

绝对最大额定值
上述最大额定值下的应力可能会对设备造成永久性损坏。在
极端条件下，与所有半导体一样，这可能包括潜在的危险包装破裂。
应始终遵循适当的安全预防措施。暴露于绝对最大评级可能会影响
设备可靠性。
t除非另有说明，否则温度=25°C

热和机械额定值
内保温材料：AlN
基板材料：AlSiC
爬电距离：33mm
间隙：20mm
CTI（比较跟踪指数）：>600

电气特性
t除非另有说明，否则温度=25°C

典型输出特性

包装详细信息
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除非另有说明，所有尺寸单位均为mm

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