富士IGBT2MBI2400U4-170

特征

10µs短路耐受能力
高热循环能力
非穿孔硅
带有AlN基底的隔离AlSiC基底
无铅结构
应用
高可靠性逆变器
电机控制器
牵引驱动
大功率模块的电源线范围包括半桥、斩波器、双、单、双向开关配置包括从1200V到6500V，电流高达2400A。DIM2400ESM17-A000是单开关1700V，n沟道增强模式，绝缘栅双极性晶体管（IGBT）模块。IGBT具有广泛的反向偏置安全工作区（RBSOA）加10μs短路耐受。此设备针对牵引传动和其他要求高热循环能力。该模块包含一个电气隔离底座极板低电感结构使能电路设计师优化电路布局并利用安全接地散热器。

绝对最大额定值
高于“绝对最大额定值”下所列的应力可能会对设备造成永久性损坏。在极端条件下，与所有半导体一样，这可能包括潜在的危险包装破裂。应始终遵循适当的安全预防措施。暴露于绝对最大评级可能会影响设备可靠性。
t除非另有说明，否则温度=25°C

热和机械额定值
内保温材料：AlN
基板材料：AlSiC
距离：33mm
间隙：20mm
比较跟踪指数：600

电气特性
t除非另有说明，否则温度=25°C

性能曲线

包装详细信息
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除非另有说明，所有尺寸单位均为mm。

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