HMC1001/HMC1002磁阻传感器是用来测量磁场强度和方向及测量由于铁磁物质干扰造成的磁场变化, 无需外部线圈辅助，其分辨率高达30μGauss，高线性磁场信号，带宽5MHz。

HMC1001是一维磁阻微电路，是一个单边封装（SIP）的磁场传感器，感应与管脚方向平行的磁场。HMC1002是两维磁阻微电路，是封装在小型集成电路（SOIC）中的双磁场传感器。两个传感器的敏感方向互相垂直。传感器A感应与外封装长边方向平行的磁场,传感器B感应与封装长边方向垂直且与表面平行的磁场。
HMC1021/HMC1022是HMC1001/HMC1002的改进型产品。它的结构为四壁的惠斯通电桥，将磁场转换成差动输出的电压。可检测低至85微高斯的磁场。HMC1021/HMC1022是新型的低成本传感器，具有更小的体积.

适用领域：罗盘，导航系统，姿态参照，虚拟实景，交通车辆检测，接近检测，医疗仪器。

型号
HMC1001/1002
参数
条件
最小值
典型值
最大值
单位

电桥电压
工作电压，-40-85℃
5
10
V

电桥电阻
桥路电流=10mA
600
850
1100
Ω

测量范围
线性全程量
-2.2
2.2
Gauss

磁场分辨率
带宽=0-10Hz,S/R脉冲=4A
40
μGauss

线性度
±0.5Guass相对±1Guass直线
1
2
%FS

电桥失调
设置脉冲后零磁场，电桥电压
55
-15
30
mV

灵敏度
Ioffset=50mA,电桥电压=8A
2.2
3.1
4
mV/V/Gauss

补偿电流带
从OFFSET+至OTTSET-测量
2.5
3.5
Ω

置位/复位电流带
从S/R+到S/R-测量
1.6
2
Ω

置位/复位电流
0.1%的占空比
2
3.5
5
A

干扰磁场
灵敏度开始下降，需开始使用S/R脉冲
4
Gauss

带宽
磁信号，下限=直流
5
MHz

噪声密度
1HZ，电桥电压=5V
25
nV/Hz

灵敏度温度系数
TCS，电桥电压=8V，-40-85℃
-3000
ppm/℃

电子温度系数
TCR，电桥电压=8V，-40-85℃
2500