斯納達擁有完整的植球工藝，特別是對TI系列PAD內凹封裝芯片植球有獨到的工藝，如4430FCB13(OMAP4430) X4460BCBS(OMAP4460)等MP4CPU芯片，完美地解決了小間距POP芯片植球難題，目前在國內外處在領先地位。

植球工藝寶典：
　　A、第一步，要分清IC是有鉛還是無鉛工藝，否則IC污染后達不到RoHS要求，造成的後果極為嚴重；
　　B、第二步，植球前要做好烘烤，IC的封裝材料一般為塑料或陶瓷，在室溫下容易吸潮，如果在植球前沒有烘烤，極易導致IC分層損坏芯片，行業俗稱“爆米花”現象；
　　C、植球后，焊接要根據錫球的化學成份，設置好相應的溫度，否則容易造成植球不牢、不直、球不圓等不良現象；
　　3.1、有鉛錫球（Sn63Pb37，錫63%鉛37%）熔點183℃。
　　3.2、無鉛錫球（Sn96.5AG3Cu0.5，錫96.5%銀3%銅0.5%）熔點217℃。
　　D、植好球的IC一般要做短時間的烘烤，以去除IC表面吸附的濕汽，烘烤完成后要及時放入防潮箱、真空包裝或卷帶包裝，以免回潮導致IC貼裝時分層損坏IC；
　　
　　注意事項：用風槍直接加熱時，注意調整風槍溫度，首先要對鋼網整面均勻加熱。否則會造成鋼網變形，影響植球質量。