設備簡介：1）主要用於單、多晶硅太陽能電池片生產,擴散前的絨面腐蝕和清洗。

         2）工藝流程：上料→HF+HNO3腐蝕→QDR+氮氣鼓泡+噴淋→KOH腐蝕→QDR+氮氣鼓泡+噴淋→HCl腐蝕→QDR+氮氣鼓泡+噴淋→下料→離心機甩干(離線)

         3）設備採用龍門式機械手方式移動，其工藝時間可以自行調節，酸碱槽具有自動補液裝置，可實現無間斷生產。能顯示溫度曲線、濃度變化曲線，及各個工位的工作狀態。具有設備報警說明，報警曆史查詢功能。對清洗用純水有電阻率監測裝置，能存儲10個以上工藝方案；

        4）標準工藝下產量：125mm×125mm、156mm×156mm、210mm×210mm的硅片，適用於投產厚度為160±30～200±30微米的硅片，硅片產能不低於1200片/小時。