2MBI200U4-330 富士IGBT模塊

特征
10µs短路耐受能力
高熱循環能力
高電流密度增強型DMOS SPT
帶有AlN基底的隔離AlSiC基底
應用
高可靠性逆變器
電機控制器
牽引輔助設備
切碎機
大功率模塊的電源線範圍包括
半橋、斬波器、雙、單、雙向
開關配置包括從1200V到
6500V，電流高達2400A。
DIM250PHM33-TS000為半橋式3300V，
軟穿孔n通道增強模式，
絕緣柵雙極晶體管斬波器
配置橋下臂的模塊
受約束的。IGBT具有寬的反向偏置安全性
操作區（RBSOA）。此設備針對
牽引傳動和其他要求高
熱循環能力。
該模塊包含一個電氣隔離底座
極板低電感結構使能電路
設計師優化電路布

絕對最大額定值
高于“絕對最大額定值”下所列的應力可能會對設備造成永久性損坏。在極端條件下，與所有半導體一樣，這可能包括潛在的危險包裝破裂。應始終遵循適當的安全預防措施。暴露于絕對最大評級可能會影響設備可靠性。
t除非另有說明，否則溫度=25°C

熱和機械額定值
內保溫材料：AlN
基板材料：AlSiC
爬電距離：33mm
間隙：20mm
CTI（比較跟蹤指數）：>600

電氣特性
t除非另有說明，否則溫度=25°C

典型開關能量與集電極電流

包裝詳細信息
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除非另有說明，所有尺寸單位均為mm

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