富士IGBT 2MBI600VN-120-50

特征
溝槽門IGBT
具有增強型Al2O3基底的銅基
高熱循環能力
10µs短路耐受能力
低EON EOFF變體
IGBT Tvj（最大值）=175°C
應用
電機驅動
充電設備
可再生能源電力轉換
電動汽車
大功率模塊的電源線範圍包括半橋、斬波器、雙、單、雙向開關配置包括從1200V到6500V，電流高達2400A。DIM600M1HS12-PC500為1200V半橋，溝道柵，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）具有增強場停止和植入的模塊
技術。IGBT具有寬的反向偏置安全性工作區（RBSOA）加10μs短路經得起考驗。該裝置針對牽引驅動進行了優化
以及其他需要高熱循環的應用能力。

該模塊包含一個電氣隔離底座極板低電感結構使能電路設計師優化電路布局並利用安全接地散熱器。
訂購信息
訂購方式：
DIM600M1HS12-PC500
注意：訂購時，請使用完整的零件數

絕對最大額定值
高于“絕對最大額定值”下所列的應力可能會對設備造成永久性損坏。在
極端條件下，與所有半導體一樣，這可能包括潛在的危險包裝破裂。
應始終遵循適當的安全預防措施。暴露于絕對最大評級可能會影響
設備可靠性。
t除非另有說明，否則溫度=25°C

熱和機械額定值
內保溫材料：Al2O3
基板材料：銅
爬電距離-端子到散熱器：14.5mm
爬電距離-端子間：13.0mm
間隙-端子到散熱器：12.5mm
間隙-端子到端子：10mm
CTI（比較跟蹤指數）：>200

電氣特性
t除非另有說明，否則溫度=25°C

封裝詳細信息
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除非另有說明，所有尺寸單位均為mm。

如果您需要了解更多富士IGBT相關資訊，參考：https://fujichina.diytrade.com/sdp/2952388/2/nl-7796608/0/富士IGBT資訊.html