一、RTP快速熱處理退火爐 簡介：

快速熱處理（RTP）是將晶片快速加熱到設定溫度，進行短時間快速熱處理的方法。

RTP系統採用輻射熱源對晶片進行一片一片的加熱，溫度測量和控制通過高溫計完成熱處理時間通常小於1~2分鐘，可用於氧化、退火、金屬硅化物的形成和快速熱化學沉積，RTP系統中，熱源直接面對晶片表面，因此在處理大直徑晶片時不會影響工藝處理的均勻性和升（降）溫速度。RTP系統還有晶片旋轉功能使熱處理均勻性更佳。RTP已逐漸成為先進半導體製造常見的一項工藝。

二、RTP500V真空快速熱處理退火爐 技術參數：

（1）溫度範圍：100 – 1300 ℃

（2）升溫速率：2 – 220 ℃/秒可調

（3）密封石英腔內面尺寸：215 X 140X 14 毫米；

（4）樣品最大尺寸：4英吋

（5）計算機控制系統：PC 機控制；

（6）軟件：快速熱處理編程控制軟件RTP-500的控制軟件；

（7）程序：①可編程溫度曲線存儲1500 條以上；

                   ②每條曲線包括100段以上, 溫度設定範圍 25—1300℃ ；

                   ③每段時間設定範圍1—30000 秒；

                   ④數據可導出為文本文件便於數據處理，自動優化溫控；

（8）溫度設定範圍：100-1300℃

（9）溫度重複性：±1℃，6區控溫；

（10）測溫精確度：100-1300全溫度段精度>0.5%

（11）測溫裝置：K型熱電偶；

（12）溫度曲線：自動記錄，保存，文本格式轉換，支持彩色分頁打印；

（13）真空系統：一路MFC流量控制，極限真空度0.1Pa,德國THERMOVAC真空測量儀；

（14）1000℃連續工作時間：雙閉環溫度控制,  穩態溫度穩定性±2℃ ,1000℃連續工作>1小時；

（15）光源：1.25KW X 13 鹵鎢燈

（16）電源：380 V  40A 三相 四線(三火線, 零線)，50/60Hz；

（17）冷卻裝置：自來水或循環水, 水壓 1—3 kg / 平方釐米, 流量6-8升/分

（18）冷卻方式：水冷、風冷、氣冷；

（19）安全裝置：過溫報警，過熱報警，過熱自動保護，水壓報警，水壓異常自動保護；