SnO2二氧化錫靶材（Tin Oxide, SnO2）

二氧化錫靶材（Tin Oxide, SnO2）作為一種高性能的磁控濺射靶材材料，在材料科學與技術領域佔據着舉足輕重的地位。其獨特的物理和化學性質，使得二氧化錫靶材在磁控濺射技術中表現出卓越的性能，並在多個高科技領域中展現出廣氾的應用前景。以下是對二氧化錫靶材的詳細介紹，包括其基本特性、物理性能以及行業應用優勢。

OXIDES 氧化物
Aluminum Oxide (Al2O3)	Magnesium Oxide (MgO)
Antimony Oxide (Sb2O3)	Zirconium-Magnesium Oxide(ZrMgO3)
Barium Titanate (BaTiO3)	Magnesium-Zirconium Oxide (MgZrO3)
Bismuth Oxide (Bi2O3)	Molybdenum Oxide (MoO3)
Bismuth Titanate (Bi2Ti4O11)	Nickel-Chrome Oxide (CrNiO4)
Cerium Oxide (CeO2)	Nickel-Cobalt Oxide（NiCoO2）
Cobalt-Chrome Oxide (CoCr2O4)	Niobium Pentoxide (Nb2O5)
Chromium Oxide (Cr2O3)	Rare Earth Garnets A3B2(SiO4)3
Chromium Oxide (Eu doped)	Rare Earth Oxides (La2O3)
Gallium Oxide (Ga2O3)	Silicon Dioxide (SiO2)
Germanium Oxide (GeO3)	Silicon Monoxide (SiO)
Hafnium Oxide (HfO2)	Tantalum Pentoxide (Ta2O5)
Indium Oxide (In2O3)	Tin Oxide (SnO2)
Indium-Tin Oxide (ITO)	Titanium Dioxide (TiO2)
Iron Oxide (Fe2O3)	Tungsten Oxide (WO3)
Lanthanum Oxide(La2O3)	Yttrium Oxide (Y2O3)

 

基本介紹

二氧化錫靶材（SnO2）是一種重要的無機非金屬材料，具有白色或灰白色的外觀。其化學式為SnO2，分子量約為150.71，密度約為6.95g/cm³，熔點高達1630℃，沸點則達到1800℃。這些基本物理參數為二氧化錫靶材在磁控濺射過程中的穩定性和可靠性提供了堅實的基礎。

物理性能

純度：
1、二氧化錫靶材的純度是衡量其質量的關鍵指標。高純度的二氧化錫靶材（通常要求99.99%以上）能夠確保濺射薄膜的純淨度和性能穩定性。低雜質含量有助于減少濺射過程中的污染，提高薄膜的均勻性和一致性。

2、密度：
二氧化錫靶材的密度適中，約為6.95g/cm³。這一密度特性使得靶材在濺射過程中能夠保持良好的機械穩定性和濺射效率。高密度的靶材可以提供更高的沉積效率和更均勻的薄膜，有助于提升最終產品的性能。

3、熔點與沸點：
二氧化錫靶材的高熔點（1630℃）和高沸點（1800℃）使其在高溫濺射環境中能夠保持穩定。這一特性使得二氧化錫靶材在制備高溫穩定性要求較高的薄膜時具有顯著優勢，如透明導電薄膜、光電薄膜等。

4、化學成份：
二氧化錫靶材的主要化學成份是錫（Sn）和氧（O），以SnO2的形式存在。其化學性質相對穩定，但在某些條件下可能與水、酸或碱發生反應。因此，在制備和使用過程中需要嚴格控制環境條件，以避免靶材的化學變化。

行業應用優勢

1、半導體行業：
二氧化錫靶材在半導體行業中具有廣氾的應用。它可以用於制備高性能的透明導電薄膜，如ITO（銦錫氧化物）薄膜，這些薄膜在液晶顯示器（LCD）、觸摸屏和太陽能電池板等領域中發揮着關鍵作用。二氧化錫靶材的濺射薄膜具有高透明度、良好的導電性和穩定性，能夠滿足半導體器件對高性能薄膜的需求。

2、光伏行業：
在光伏行業中，二氧化錫靶材被用於制備太陽能電池板中的透明導電薄膜。這些薄膜能夠顯著提高太陽能電池的光電轉換效率，同時保持較高的穩定性和耐久性。二氧化錫靶材的濺射薄膜具有優異的透光性和導電性，有助于提升太陽能電池的整體性能。

3、光學與光電子行業：
二氧化錫靶材在光學與光電子行業中也具有重要的應用。它可以用於制備光學濾波器、反射鏡和光波導等器件。這些器件在光纖通信、光學傳感器和激光技術等領域中發揮着重要作用。二氧化錫靶材的濺射薄膜具有高折射率、低損耗和良好的光學性能，能夠滿足光學器件對高性能材料的需求。

4、其他領域：
此外，二氧化錫靶材還可以用於制備玻璃、陶瓷以及復合材料等領域中的高性能功能材料。這些材料在環保、建築和航空航天等領域中具有廣氾的應用前景。二氧化錫靶材的濺射薄膜能夠賦予這些材料優異的性能，如提高抗腐蝕性、耐磨性和耐高溫性等。

綜上所述，二氧化錫靶材以其獨特的物理性能和廣氾的應用前景，在材料科學與技術領域中展現出了巨大的潛力和價值。隨着科技的不斷進步和應用領域的不斷拓展，二氧化錫靶材的性能將進一步提升，其應用也將更加廣氾和深入。

 

IGZO靶材中的IGZO是指氧化銦鎵鋅（Indium Gallium Zinc Oxide），它是一種由銦（In）、鎵（Ga）、鋅（Zn）和氧（O）組成的氧化物材料

• IGZO簡述：

IGZO靶材中的IGZO，全稱為氧化銦鎵鋅（Indium Gallium Zinc Oxide），是一種由銦（In）、鎵（Ga）、鋅（Zn）和氧（O）組成的非晶氧化物半導體材料。IGZO靶材作為新型氧化物有源層材料，在高性能TFT（薄膜晶體管）器件制備中扮演着重要角色。其獨特的材料特性和廣氾的應用優勢，使其成為半導體材料領域的一顆璀璨明星。我司專注研發與生產，鑄就行業精品。公司生產氧化物靶材材料如下：

OXIDES 氧化物
Aluminum Oxide (Al2O3)	Magnesium Oxide (MgO)
Antimony Oxide (Sb2O3)	Zirconium-Magnesium Oxide(ZrMgO3)
Barium Titanate (BaTiO3)	Magnesium-Zirconium Oxide (MgZrO3)
Bismuth Oxide (Bi2O3)	Molybdenum Oxide (MoO3)
Bismuth Titanate (Bi2Ti4O11)	Nickel-Chrome Oxide (CrNiO4)
Cerium Oxide (CeO2)	Nickel-Cobalt Oxide（NiCoO2）
Cobalt-Chrome Oxide (CoCr2O4)	Niobium Pentoxide (Nb2O5)
Chromium Oxide (Cr2O3)	Rare Earth Garnets A3B2(SiO4)3
Chromium Oxide (Eu doped)	Rare Earth Oxides (La2O3)
Gallium Oxide (Ga2O3)	Silicon Dioxide (SiO2)
Germanium Oxide (GeO3)	Silicon Monoxide (SiO)
Hafnium Oxide (HfO2)	Tantalum Pentoxide (Ta2O5)
Indium Oxide (In2O3)	Tin Oxide (SnO2)
Indium-Tin Oxide (ITO)	Titanium Dioxide (TiO2)
Iron Oxide (Fe2O3)	Tungsten Oxide (WO3)
Lanthanum Oxide(La2O3)	Yttrium Oxide (Y2O3)
Lead Titanate(PbTiO3)	Yttrium-Aluminum Oxide (Y3Al5O12)
Lead Zirconate (ZrPbO3)	Zinc Oxide (ZnO)
Lithium Niobate (LiNbO3)	Zinc Oxide/Aluminum Oxide (Al2O3)
Lithium-Cobalt Oxide (CoLiO2)	Zirconium Oxide (ZrO2)

 

• 材料特性：

IGZO靶材的純度通常高達99.99%（即4N+），這意味着其內部雜質含量極低，從而保証了材料的高質量和穩定性。高純度是IGZO靶材在高性能電子器件中應用的基礎，它確保了器件的可靠性和長壽命。此外，IGZO靶材的密度也相對較高，一般不低於6.30g/cm³，這為其在制備過程中提供了良好的緻密性和結構穩定性。至於熔點，IGZO靶材中的各個組成氧化物熔點不同，但整體而言，IGZO材料具有較高的熱穩定性，能夠承受較高的溫度而不發生顯著的結構變化。

• 行業應用：

1、IGZO材料在半導體行業中展現出了一系列顯著的應用優勢。首先，IGZO具有優異的電子遷移率，其載流子遷移率是非晶硅的20~30倍。這一特性使得IGZO在制備高性能TFT器件時，能夠實現更快的信號傳輸速度和更高的工作效率。其次，IGZO的能耗較低，響應時間短，這使得它在顯示驅動領域具有得天獨厚的優勢。無論是LCD顯示驅動還是OLED顯示驅動，IGZO都能提供出色的顯示效果和能效比。此外，IGZO還具有良好的柔性，可以應用於柔性顯示屏的制備，為未來的可穿戴設備和便攜式電子產品提供了更多的可能性。

2、在顯示驅動應用領域，IGZO靶材已被夏普、三星、LG等知名公司開發並投入市場。基於IGZO TFT驅動的顯示面板已被廣氾應用於筆記本電腦、遊戲筆記本電腦以及平板電腦等產品中。例如，戴爾的Dell XPS 13筆記本電腦、Razer的Razer Blade 14遊戲筆記本電腦以及蘋果的iPad mini 2和iPad Air都採用了IGZO技術。這些產品憑借出色的顯示效果和能效比，贏得了消費者的廣氾好評。

3、除了顯示驅動領域，IGZO靶材還在傳感應用和類腦系統等領域展現出巨大的潛力。在傳感應用方面，IGZO可以作為光電探測器、壓力傳感器、pH傳感器、氣體傳感器以及柔性傳感器的材料，為物聯網和智能家居等領域提供高性能的傳感元件。在類腦系統方面，IGZO可以作為DRAM、RRAM等憶阻器的溝道材料，為神經形態計算和人工智能等領域提供新的解決方案。

4、此外，IGZO靶材的制備方法也多種多樣，其中磁控濺射法和原子層化學氣相沉積（ALCVD）是現階段大規模製造中常用的方法。這些方法能夠精確地控制IGZO靶材的元素配比和氧含量，從而優化其電學性能和穩定性。通過調整IGZO的元素比和成膜過程中的氧含量，可以進一步提升有源層的特性，保証生產節拍的同時提升器件的穩定性。

綜上所述，IGZO靶材作為一種特性獨特的材料，在半導體行業中展現出了廣氾的應用前景和巨大的市場潛力。隨着技術的不斷進步和市場的不斷拓展，IGZO靶材有望在更多領域實現突破和創新，為人類社會的科技進步和產業發展做出更大的貢獻。