型號: | - |
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品牌: | szzzna |
原產地: | 中國 |
類別: | 冶金礦產、能源 / 冶金礦產 / 粉末冶金 |
標籤︰ | 鈦酸鍶鋇靶 BaSrTiO3 , 鈦酸鋇靶 BaTiO3 , 濺射鍍膜靶材 |
單價: |
¥150
/ 件
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最少訂量: | 1 件 |
鈦酸鍶鋇靶材 BaSrTiO3靶 鍍膜靶材 磁控濺射PVD鍍膜 科研院校陶瓷靶材定製 背靶綁定
BaSrTiO3(鈦酸鍶鋇))靶材
BaSrTiO3(鈦酸鍶鋇)靶材,作為一種高性能的濺射靶材材料,憑借其卓越的物理化學特性和廣氾的應用潛力,在電子工程、材料科學及多個高科技領域展現出顯著的優勢。
我司專注研發與生產,鑄就行業精品。所生產氧化物材料如下:
OXIDES 氧化物 |
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Aluminum Oxide (Al2O3) |
Magnesium Oxide (MgO) |
Antimony Oxide (Sb2O3) |
Zirconium-Magnesium Oxide(ZrMgO3) |
Barium Titanate (BaTiO3) |
Magnesium-Zirconium Oxide (MgZrO3) |
Bismuth Oxide (Bi2O3) |
Molybdenum Oxide (MoO3) |
Bismuth Titanate (Bi2Ti4O11) |
Nickel-Chrome Oxide (CrNiO4) |
Cerium Oxide (CeO2) |
Nickel-Cobalt Oxide(NiCoO2) |
Cobalt-Chrome Oxide (CoCr2O4) |
Niobium Pentoxide (Nb2O5) |
Chromium Oxide (Cr2O3) |
Rare Earth Garnets A3B2(SiO4)3 |
Chromium Oxide (Eu doped) |
Rare Earth Oxides (La2O3) |
Gallium Oxide (Ga2O3) |
Silicon Dioxide (SiO2) |
Germanium Oxide (GeO3) |
Silicon Monoxide (SiO) |
Hafnium Oxide (HfO2) |
Tantalum Pentoxide (Ta2O5) |
Indium Oxide (In2O3) |
Tin Oxide (SnO2) |
Indium-Tin Oxide (ITO) |
Titanium Dioxide (TiO2) |
Iron Oxide (Fe2O3) |
Tungsten Oxide (WO3) |
Lanthanum Oxide(La2O3) |
Yttrium Oxide (Y2O3) |
Lead Titanate(PbTiO3) |
Yttrium-Aluminum Oxide (Y3Al5O12) |
Lead Zirconate (ZrPbO3) |
Zinc Oxide (ZnO) |
Lithium Niobate (LiNbO3) |
Zinc Oxide/Aluminum Oxide (Al2O3) |
Lithium-Cobalt Oxide (CoLiO2) |
Zirconium Oxide (ZrO2) |
Lutetium-Iron Oxide (garnet) (Fe2LuO4) |
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一、首先,從材料的基本特性來看,BaSrTiO3靶材以其高純度為顯著特點。高純度的原料選擇,結合精細的制備工藝,如溶膠-凝膠法、水熱法或共沉澱法等,確保了靶材中雜質含量極低,從而提升了其整體性能的穩定性和可靠性。此外,BaSrTiO3靶材通常具有相對較高的密度,這意味着在濺射過程中,它能夠提供更為均勻、緻密的薄膜,這對於制備高質量、高性能的電子器件至關重要。至於熔點,由於BaSrTiO3是鈦酸鋇(BaTiO3)和鈦酸鍶(SrTiO3)的固溶體,其熔點可能介於兩者之間,這使得它在高溫處理過程中仍能保持結構的穩定性和化學的惰性。
二、1、在行業應用中,BaSrTiO3靶材的優勢尤為突出。作為一種多鐵性材料,BaSrTiO3展現出良好的軟磁、壓電、光學和電學性能,使其成為壓電共振器、微波器件、發電機、超聲產生器、儲能器件和隨機訪問存儲器等領域的理想材料。在電容器領域,相比傳統的鋰鈦酸鋰電池材料,BaSrTiO3具有更高的比容量和更長的循環壽命,這使其在儲能技術方面具備重要應用潛力。此外,BaSrTiO3在光學方面也有廣氾應用前景,可用於製作光學濾波器、光學波導等器件,為光電子技術的發展提供有力支持。
2、特別是在薄膜制備方面,BaSrTiO3靶材通過濺射法、脈衝激光沉積法、分子束外延等多種先進技術手段,可以制備出高質量、高取向的薄膜材料。這些薄膜不僅適合後續釔鋇銅氧薄膜的生長,還可直接應用於動態隨機存儲器等高端電子器件中,展現了其巨大的應用價值和市場前景。
綜上所述,BaSrTiO3鈦酸鍶鋇靶材以其高純度、高密度及優異的電學、光學和壓電性能,在電子工程、材料科學及多個高科技領域中發揮着重要作用。隨着科學技術的不斷進步和應用領域的不斷拓展,BaSrTiO3靶材必將迎來更加廣闊的發展前景。
高純鈦酸鋇BaTiO3 target科研實驗 磁控濺射PVD靶實驗室耗材 顆粒 背靶綁定
Barium Titanate (BaTiO3),即鈦酸鋇靶材
我司專注研發與生產,鑄就行業精品。公司生產氧化物材料如下:
OXIDES 氧化物 |
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Aluminum Oxide (Al2O3) |
Magnesium Oxide (MgO) |
Antimony Oxide (Sb2O3) |
Zirconium-Magnesium Oxide(ZrMgO3) |
Barium Titanate (BaTiO3) |
Magnesium-Zirconium Oxide (MgZrO3) |
Bismuth Oxide (Bi2O3) |
Molybdenum Oxide (MoO3) |
Bismuth Titanate (Bi2Ti4O11) |
Nickel-Chrome Oxide (CrNiO4) |
Cerium Oxide (CeO2) |
Nickel-Cobalt Oxide(NiCoO2) |
Cobalt-Chrome Oxide (CoCr2O4) |
Niobium Pentoxide (Nb2O5) |
Chromium Oxide (Cr2O3) |
Rare Earth Garnets A3B2(SiO4)3 |
Chromium Oxide (Eu doped) |
Rare Earth Oxides (La2O3) |
Gallium Oxide (Ga2O3) |
Silicon Dioxide (SiO2) |
Germanium Oxide (GeO3) |
Silicon Monoxide (SiO) |
Hafnium Oxide (HfO2) |
Tantalum Pentoxide (Ta2O5) |
Indium Oxide (In2O3) |
Tin Oxide (SnO2) |
Indium-Tin Oxide (ITO) |
Titanium Dioxide (TiO2) |
Iron Oxide (Fe2O3) |
Tungsten Oxide (WO3) |
Lanthanum Oxide(La2O3) |
Yttrium Oxide (Y2O3) |
Lead Titanate(PbTiO3) |
Yttrium-Aluminum Oxide (Y3Al5O12) |
Lead Zirconate (ZrPbO3) |
Zinc Oxide (ZnO) |
Lithium Niobate (LiNbO3) |
Zinc Oxide/Aluminum Oxide (Al2O3) |
Lithium-Cobalt Oxide (CoLiO2) |
Zirconium Oxide (ZrO2) |
二、1、在電子陶瓷行業中,鈦酸鋇靶材的應用優勢尤為突出。首先,其高介電常數使得鈦酸鋇成為電容器、壓電傳感器、熱敏電阻等電子元件中的關鍵材料。這些元件廣氾應用於通信、計算機、家電、汽車電子等多個領域,對於提升產品性能、降低能耗具有重要意義。例如,在電容器中,鈦酸鋇的高介電常數能夠顯著提高電容值,使得電容器在更小的體積下實現更大的儲能能力,滿足電子設備小型化、集成化的需求。
2、鈦酸鋇的低介電損耗特性確保了電子元件在高頻、高功率條件下仍能保持穩定的性能輸出。在無線通信、雷達探測等高頻應用場景中,低介電損耗能夠減少能量損失,提高信號傳輸效率,為通信技術的快速發展提供了有力支持。
3、鈦酸鋇還具有良好的機械性能、熱穩定性和化學穩定性,能夠在惡劣的工作環境下保持穩定的性能表現。這使得鈦酸鋇靶材在航空航天、國防軍工等高端領域也具有廣氾的應用前景。例如,在航天器的電子元器件中,鈦酸鋇靶材可以制備出耐高溫、抗輻射的薄膜材料,保障航天器在極端環境下的正常運行。
綜上所述,鈦酸鋇靶材以其高介電常數、低介電損耗、良好的機械性能、熱穩定性和化學穩定性等卓越特性,在電子陶瓷行業中展現出巨大的應用優勢。它不僅推動了電子元件的小型化、集成化進程,還提升了電子產品的整體性能和使用壽命。隨着科技的不斷進步和應用領域的不斷拓展,鈦酸鋇靶材的應用前景將更加廣闊,為電子陶瓷工業的持續發展注入新的活力。
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最後上線︰ | 2024/12/02 |