原子磊晶成長技術(Atomic LayerEpitaxy)是以氣-固相化學反應，使氣相金屬先驅物與載體表面官能基鍵結(主要是共價鍵)，而達到載體表面飽和狀態(Surface Saturation) 的一種反應機制，又稱為ALCVD(Atomic Layer CVD)或ALD(Atomic Layer Depostion)。和眾所熟悉的化學蒸鍍法(Chemical VaporDepo- stion,CVD)最大的不同點，是ALE 法是應用序列性自身控制機制(Sequential Self-limiting Mechanism)，達到基材(載體)表面均一的薄膜成長技術，而非CVD 法中需藉由精密的製程操控來達到。ALE這種自建式(self-built)表面均一性非常有利於現場製程。此法最早由芬蘭物理學家Dr. Tumo Sontola 于1973 年發明。

 

依據應用分類：

材料與組件之封裝與阻水阻氣層(Al2O3)

取代ITO的透明導電材料ZnO:Al

光學膜用於AR/HR coating

High K材料沉積

微小線寬階梯覆蓋(取代PE-CVD功能)

硅奈米晶體(nanocrystalline silicon)表面的懸垂鍵(dangling bonds)表麵包覆

ZnO UV LED磊晶(取代MO-CVD製程)

在GaN表面沉積光子晶體結構(TiO2/Al2O3)

依據產業分類：

OLED

LED晶粒段

DRAM

Solar Cell

LED磊晶段