富士IGBT模块2MBI200VB-120

富士IGBT电源模块低传导损耗和短路强度。通用于逆变器和UPS。

特性
低电压CE（sat）沟道IGBT技术；最高结温175℃；低电感外壳；快速和软反向恢复反并联FWD；采用DBC技术的隔离铜基板

典型应用
电机驱动逆变器
交直流伺服驱动放大器
不间断电源

详细参数

封装尺寸

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