HCD850是一种空心阴极反应离子镀设备，是利用空心阴极枪在弧光放电过程中发射电子流轰击坩埚，熔融膜材，进一步在工件表面沉积形成致密性非常高的硬质膜层。HCD技术可以集加热、表面轰击清洗、蒸发镀膜于一体，并且通过弧光放电形成的高密度等离子体使金属原子的离化率大大增加，达到20-40%，可以更方便地沉积高质量反应膜层。

 HCD具有离化率高，高能中性粒子密度大，绕镀性好，低电压，大电流，操作安全、方便等特点。主要应用于半导体、工具工业、光伏等应用领域。

设备参数

项目         空心阴极反应离子镀

规格型号         HCD850

真空内腔         850×500mm

工件尺寸         Φ100

加热温度         400°C（PID调节）

空心阴极离子枪     1套

水冷坩埚         1套

旋转工件架     0～15rpm

工作气体         真空室MFC2路，空心阴极MFC1路

水压         2×105Pa

气压         5×105Pa

真空系统         分子泵+机械泵

极限真空         ≤8×10-4Pa

设备功率         380V，平均功率5KVA，峰值功率20KVA

软件特性         对加热、真空、气体、电源、信号、报警、操作权限、互锁保护等进行控制

系统控制         MCGS+三菱PLC系统

系统特性         结构紧凑，全自动控制，设备性能高，工艺稳定性高，可批量处理

设备外形尺寸        L2700×W1200×H2024mm