富士IGBT模块1MBI1000U4-330

特征
10µs短路耐受能力
高热循环能力
高电流密度增强型DMOS SPT
带有AlN基底的隔离AlSiC基底
应用
高可靠性逆变器
电机控制器
牵引驱动
切碎机
大功率模块的电源线范围包括半桥、斩波器、双、单、双向开关配置包括从1200V到6500V，电流高达2400A。
DIM1000NSM33-TS000是一个单开关3300V，软穿孔n通道增强模式，绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块。这个
IGBT具有宽的反向偏置安全工作区（RBSOA）加上10μs短路耐受。这个该装置针对牵引驱动和其他方面进行了优化
需要高热循环能力的应用。该模块包含一个电气隔离底座极板低电感结构使能电路设计师优化电路布局并利用安全接地散热器。
绝对最大额定值
高于“绝对最大额定值”下所列的应力可能会对设备造成永久性损坏。在极端条件下，与所有半导体一样，这可能包括潜在的危险包装破裂。应始终遵循适当的安全预防措施。暴露于绝对最大评级可能会影响设备可靠性。
t除非另有说明，否则温度=25°C

热和机械额定值
内保温材料：AlN
基板材料：AlSiC
爬电距离：33mm
间隙：20mm
CTI（比较跟踪指数）：>600

电气特性
t除非另有说明，否则温度=25°C

性能曲线

包装详细信息
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除非另有说明，所有尺寸单位均为mm

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