原子磊晶成长技术(Atomic LayerEpitaxy)是以气-固相化学反应，使气相金属先驱物与载体表面官能基键结(主要是共价键)，而达到载体表面饱和状态(Surface Saturation) 的一种反应机制，又称为ALCVD(Atomic Layer CVD)或ALD(Atomic Layer Depostion)。和众所熟悉的化学蒸镀法(Chemical VaporDepo- stion,CVD)最大的不同点，是ALE 法是应用序列性自身控制机制(Sequential Self-limiting Mechanism)，达到基材(载体)表面均一的薄膜成长技术，而非CVD 法中需藉由精密的制程操控来达到。ALE这种自建式(self-built)表面均一性非常有利于现场制程。此法最早由芬兰物理学家Dr. Tumo Sontola 于1973 年发明。

 

依据应用分类：

材料与组件之封装与阻水阻气层(Al2O3)

取代ITO的透明导电材料ZnO:Al

光学膜用于AR/HR coating

High K材料沉积

微小线宽阶梯覆盖(取代PE-CVD功能)

硅奈米晶体(nanocrystalline silicon)表面的悬垂键(dangling bonds)表面包覆

ZnO UV LED磊晶(取代MO-CVD制程)

在GaN表面沉积光子晶体结构(TiO2/Al2O3)

依据产业分类：

OLED

LED晶粒段

DRAM

Solar Cell

LED磊晶段