深圳眾誠達應用材料科技有限公司生產銷售磁控濺射用的靶材。中頻濺射也是磁控濺射的一種,一般磁控濺射靶的設計,磁場的設計是各家技術的重點,國際幾個有名的濺射靶製造商,對靶磁場的設計相當專業,改變磁場設計能得到不相同的等離子體蒸發量.電子的路徑,等離子體的分布,所以濺射靶磁場是各家的技術機密.

深圳眾誠達應用材料科技有限公司生產銷售磁控濺射用的靶材。關於陰極弧（也就是離子鍍），磁控濺射，以及坩堝蒸發都屬於PVD（物理氣相沉積），坩堝蒸發主要是相變，蒸發靶材只有幾個電子伏特的能量。所以膜附着力小，但沉積率高，多用於光學鍍膜。磁控濺射中氬離子衝擊靶材使靶材原子和分子碎片沉積在零件，靶材材料動能可達數百甚至上千電子伏特能量。是真正的中性的納米級鍍膜。陰極弧起弧后一方面靶面高溫將材料冶金融化，強大電場然後將融化材料幾乎完全離子化，在靶電源和零件偏壓綜合作用下成膜。看起來陰極弧鍍較先進，其實不然。首先靶面溶化過程很隨機不可控制，離子成團鍍到零件。鍍件均勻性和光滑性難以保証。通俗點講陰極弧鍍是真空下的焊接過程，陰極弧電源和焊接電源原理上很近似。陰極弧技術主要源於前甦聯，在我國因種種原因較普及，電源簡單是很大一個因素。但技術不斷進步。近年過濾陰極弧技術發展較快，避免了成膜不均勻的缺點，但有所得必有所失，過濾使沉積率減小而設備成本增高。