富士IGBT模塊2MBI200VB-120

富士IGBT電源模塊低傳導損耗和短路強度。通用於逆變器和UPS。

特性
低電壓CE（sat）溝道IGBT技術；最高結溫175℃；低電感外殼；快速和軟反向恢復反並聯FWD；採用DBC技術的隔離銅基板

典型應用
電機驅動逆變器
交直流伺服驅動放大器
不間斷電源

詳細參數

封裝尺寸

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