富士IGBT模塊2MBI200VH-170

富士IGBT電源模塊提供低傳導損耗和短路強度。它們是為以下應用而設計的交流逆變器。

特征
低電壓CE（sat）溝道IGBT技術
低開關損耗
10μs短路能力
正溫度係數的V CE（sat）
低電感外殼
快速和軟反向恢復反並聯FWD
採用DBC技術的隔離銅基板等效電路原理圖

典型應用
交流逆變器驅動電源575-750V AC
公共交通（輔助系統）

技術參數

封裝尺寸

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