富士IGBT模塊2MBI1200U4-170

特征
10µs短路耐受能力
高熱循環能力
非穿孔硅
帶有AlN基底的隔離AlSiC基底
無鉛結構
應用
高可靠性逆變器
電機控制器
牽引驅動
電源線模塊包括高功率模塊半橋、斬波器、雙、單、雙向開關配置包括從1200V到6500V，電流高達2400A。
DIM1200FSM17-A000是單開關1700V，n溝道增強模式，絕緣柵雙極性晶體管（IGBT）模塊。IGBT具有廣氾的
反向偏置安全工作區（RBSOA）加10μs短路耐受。此設備針對牽引傳動和其他要求高熱循環能力。
該模塊包含一個電氣隔離底座極板低電感結構使能電路設計師優化電路布局並利用安全接地散熱器

絕對最大額定值
高于“絕對最大額定值”下所列的應力可能會對設備造成永久性損坏。在極端條件下，與所有半導體一樣，這可能包括潛在的危險包裝破裂。應始終遵循適當的安全預防措施。暴露于絕對最大評級可能會影響設備可靠性

t除非另有說明，否則溫度=25°C

熱和機械額定值
內保溫材料：AlN
基板材料：AlSiC
爬電距離：20mm
間隙：10mm
比較跟蹤指數：350

電氣特性
t除非另有說明，否則溫度=25°C

包裝詳細信息
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除非另有說明，否則所有尺寸均為mm

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