編號

設備配置

具體指標

1

晶片尺寸

8"，使用載盤可以適用於2", 3", 4", 6" 晶圓, 以及小片樣品)

2

等離子源

PTSA ICP等離子源

13.56 MHz, 功率1200 W

集成自動匹配網絡

3

射頻偏置電源

13.56 MHz, 600 W

4

電極溫控

-30?C ~ 250?C （低溫可選-150 ?C）

5

反應腔本底真空

≤ 1 x 10-6 mbar

6

氣體管路

標準氣櫃***多可以配置16路氣體管道。（可以增加氣櫃）

7

PC

Windows 7 Professional

SENTECH高級等離子設備操作軟件

8

預真空室

配置。

9

He晶片冷卻

配置。

10

機械鉗

配置。

11

深硅刻蝕典型指標

-  刻蝕速率：     2~5 ?m/min

-  選擇比(SiO2)： 90:1

特性:

l 全自動/手動過程控制

l Recipe控制刻蝕過程

l 智能過程控制，包括跳轉、循環調用recipe

l 多用戶權限設置

l 數據資料記錄

l LAN網絡接口

l Windows NT 操作軟件

選項:

l 增加氣路

l PTSA源石英窗口

l 在線監測窗口，穿過PTSA源

l 循環冷卻器，用於下電極溫度控制 (-30?C to 80?C)

l 高密度等離子體磁性襯板

l 對等離子源和磁性襯板的外部升高裝置

l Cassette到cassette操作方式

l 穿牆式安裝方式

l 干涉式終點探測和刻蝕深度測量系統