世界頂級薄膜熱應力測量系統，MOS多光束技術榮獲美國專利技術！同時KSA公司榮獲2008 Innovation of the Year Awardee！

該設備已經廣氾被全球著名高等學府（如：Harvard University 2套，Stanford University，Johns Hopkins University，Brown University 2套，Karlsruhe Research Center,Max Planck Institute，西安交通大學等）、半導體制和微電子造商（如IBM.，Seagate Research Center,Phillips Semiconductor,NEC，Nissan ARC,Nichia Glass Corporation）等所採用；

技術參數
 

主要特點 ：
1.專利技術：MOS多光束技術（二維激光陣列）； 2.變溫設計：採用真空和低壓氣體保護，溫度範圍RT~1000°C；
3.樣品快速熱處理功能；
4.樣品快速冷卻處理功能；
5.溫度閉環控制功能，保証極佳的溫度均勻性和精度;
6.實時應力VS.溫度曲線；
7.實時曲率VS.溫度曲線；
8.程序化控制掃描模式：選定區域、多點線性掃描、全面積掃描； 
9.成像功能：樣品表面2D曲率成像，定量薄膜應力成像分析； 
10.測量功能：曲率、曲率半徑、應力強度、應力和翹曲等；
11.氣體（氮氣、氬氣和氧氣等）Delivery系統；

同類設備：

薄膜應力測試儀（薄膜應力測量系統，薄膜應力計）；

薄膜殘餘應力測試儀；

實時原位薄膜應力儀；

變溫設計：採用真空和低壓氣體保護，溫度範圍RT~1000°C；
曲率分辨率：100km；
曲率重複性：<2×10-5 1/m；