世界頂級原位薄膜應力測量系統，又名原位薄膜應力計或原位薄膜應力儀！MOS美國專利技術！曾榮獲2008 Innovation of the Year Awardee！

採用非接觸激光MOS技術；不但可以精確的對樣品表面應力分布進行統計分析，而且還可以進行樣品表面二維應力、曲率成像分析；客戶可自行定義選擇使用任意一個或者一組激光點進行測量；並且這種設計始終保証所有陣列的激光光點始終在同一頻率運動或掃描，從而有效的避免了外界振動對測試結果的影響；同時大大提高了測試的分辨率；適合各種材質和厚度薄膜應力分析；

該設備已經廣氾被全球著名高等學府（如：Harvard University 2套，Stanford University，Johns Hopkins University，Brown University 2套，Karlsruhe Research Center,Max Planck Institute，西安交通大學等）、半導體制和微電子造商（如IBM.，Seagate Research Center,Phillips Semiconductor,NEC，Nissan ARC,Nichia Glass Corporation）等所採用； 

相關產品：

薄膜應力儀（薄膜應力測量儀）：為獨立測量系統，同樣採用先進的MOS技術，詳細信息請與我們聯繫。

技術參數

1.掃描分辨率：2 μm ；
2.平均曲率分辨率：< 2e-5 (1/m) 1-sigma (50km radius) 1-sigma；
3.平均翹曲測量重複性：< 5e-6 (radians) 1-sigma；
4.平均曲率重複性：<2×10-5 1/m (1 sigma)

1.程序化控制掃描模式：選定區域、多點線性掃描、全面積掃描；
2.實時原位成像功能：樣品表面2D曲率成像，定量薄膜應力成像分析；
3.實時原位測量功能：曲率、曲率半徑、應力強度、應力和翹曲等；

4.支持裝在各種真空沉積設備或表面處理設備上（如：MBE, MOCVD, sputtering, PLD, PECVD, and annealing chambers ects）；