霍爾效應測量系統

型號：	RHS
品牌：	HEMS
原產地：	-
類別：	電子、電力 / 儀器、儀表 / 分析儀器
標籤︰	霍爾效應儀
單價：	US $1 / 件
最少訂量：	1 件

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產品描述

歐洲高性能霍爾效應測量系統，廣氾應用於半導體材料、低阻材料和高阻材料等物理性能的研究；可對多種重要物理參量如：電阻率、霍爾係數、載流子濃度、遷移率、磁電阻和V-I曲線等測量和分析；

技術參數

電流源:
測量範圍: 1nA - 10 mA
輸出電壓: +/- 10V (+/-20V)
輸出電阻: typical 10¹³ Ohms
電流分辨率: 25 pA

電壓測量：
測量範圍: 10 mV - 10V（自動量程選擇）
分辨率 : <500nV
輸入電阻: > 10¹³ Ohms

磁場範圍：0.45T~2T（牛津磁體）；

電阻測量範圍: 1x10^-3 Ohm - 1x10⁹ Ohm
電阻率測量範圍: 1 x10^-5 Ohm*cm - 1x10⁷ Ohm*cm
載流子濃度範圍: 10⁷ cm^-3 - 10²¹ cm^-3

主要特點

電阻率Rho測量；
霍爾係數R_H測量；
V-I曲線測量；
V_H電壓測量；
載流子濃度測量；
載流子遷移率測量；
載流子形式測量（n or p）;
磁電阻等；

獨有的非線性電壓補償功能；
磁場大小可調；
自動磁場校準；
低溫選件：77K；
Van der Pauw和橋式barshape測量；

可測試材料:
半導體材料：包括 SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, and HgCdTe,磚石鐵,氧體材料;
低阻材料：包括金屬、透明氧化物、稀磁半導體器件和TMR材料
高阻材料：包括半導體絕緣材料、GaAs、GaN、CdTe和光電探測器