產品應用：主要用於2～6英吋鍺單晶、砷化鎵等化合物晶體的生長

產品特點：
◆工業計算機控制系統（WINDOWS 系統界面，操作方便簡潔）
◆關鍵部件均採用進口，確保設備的高可靠性
◆控溫精度高，溫區控溫穩定性好
◆具有斷電報警、超溫/欠溫報警、極限超溫報警等多種安全保護功能
◆晶體生長均勻性好、重複性高

主要技術指標
◆工作溫度：600～1280℃
◆適應晶體尺寸：2～6英吋
◆裝料量：10Kg/爐
◆加熱控制：7段控制
◆溫區長度：800mm±0.5℃（1000～1280℃）
◆最大升溫速率：15℃/min
◆昇降行程：900mm
◆最小昇降速率（VB）：0.1mm/h

配套設備：合成爐、鑄錠爐、脫氧封管爐等