型号: | - |
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品牌: | szzzna |
原产地: | 中国 |
类别: | 冶金矿产、能源 / 冶金矿产 / 粉末冶金 |
标签︰ | 二氧化锡靶SnO2 , IGZO氧化铟镓锌靶 , PVD真空镀膜靶材 |
单价: |
¥200
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最少订量: | 1 件 |
SnO2二氧化锡靶材(Tin Oxide, SnO2)
二氧化锡靶材(Tin Oxide, SnO2)作为一种高性能的磁控溅射靶材材料,在材料科学与技术领域占据着举足轻重的地位。其独特的物理和化学性质,使得二氧化锡靶材在磁控溅射技术中表现出卓越的性能,并在多个高科技领域中展现出广泛的应用前景。以下是对二氧化锡靶材的详细介绍,包括其基本特性、物理性能以及行业应用优势。
OXIDES 氧化物 |
|
Aluminum Oxide (Al2O3) |
Magnesium Oxide (MgO) |
Antimony Oxide (Sb2O3) |
Zirconium-Magnesium Oxide(ZrMgO3) |
Barium Titanate (BaTiO3) |
Magnesium-Zirconium Oxide (MgZrO3) |
Bismuth Oxide (Bi2O3) |
Molybdenum Oxide (MoO3) |
Bismuth Titanate (Bi2Ti4O11) |
Nickel-Chrome Oxide (CrNiO4) |
Cerium Oxide (CeO2) |
Nickel-Cobalt Oxide(NiCoO2) |
Cobalt-Chrome Oxide (CoCr2O4) |
Niobium Pentoxide (Nb2O5) |
Chromium Oxide (Cr2O3) |
Rare Earth Garnets A3B2(SiO4)3 |
Chromium Oxide (Eu doped) |
Rare Earth Oxides (La2O3) |
Gallium Oxide (Ga2O3) |
Silicon Dioxide (SiO2) |
Germanium Oxide (GeO3) |
Silicon Monoxide (SiO) |
Hafnium Oxide (HfO2) |
Tantalum Pentoxide (Ta2O5) |
Indium Oxide (In2O3) |
Tin Oxide (SnO2) |
Indium-Tin Oxide (ITO) |
Titanium Dioxide (TiO2) |
Iron Oxide (Fe2O3) |
Tungsten Oxide (WO3) |
Lanthanum Oxide(La2O3) |
Yttrium Oxide (Y2O3) |
基本介绍
二氧化锡靶材(SnO2)是一种重要的无机非金属材料,具有白色或灰白色的外观。其化学式为SnO2,分子量约为150.71,密度约为6.95g/cm³,熔点高达1630℃,沸点则达到1800℃。这些基本物理参数为二氧化锡靶材在磁控溅射过程中的稳定性和可靠性提供了坚实的基础。
物理性能
纯度:
1、二氧化锡靶材的纯度是衡量其质量的关键指标。高纯度的二氧化锡靶材(通常要求99.99%以上)能够确保溅射薄膜的纯净度和性能稳定性。低杂质含量有助于减少溅射过程中的污染,提高薄膜的均匀性和一致性。
2、密度:
二氧化锡靶材的密度适中,约为6.95g/cm³。这一密度特性使得靶材在溅射过程中能够保持良好的机械稳定性和溅射效率。高密度的靶材可以提供更高的沉积效率和更均匀的薄膜,有助于提升最终产品的性能。
3、熔点与沸点:
二氧化锡靶材的高熔点(1630℃)和高沸点(1800℃)使其在高温溅射环境中能够保持稳定。这一特性使得二氧化锡靶材在制备高温稳定性要求较高的薄膜时具有显著优势,如透明导电薄膜、光电薄膜等。
4、化学成份:
二氧化锡靶材的主要化学成份是锡(Sn)和氧(O),以SnO2的形式存在。其化学性质相对稳定,但在某些条件下可能与水、酸或碱发生反应。因此,在制备和使用过程中需要严格控制环境条件,以避免靶材的化学变化。
行业应用优势
1、半导体行业:
二氧化锡靶材在半导体行业中具有广泛的应用。它可以用于制备高性能的透明导电薄膜,如ITO(铟锡氧化物)薄膜,这些薄膜在液晶显示器(LCD)、触摸屏和太阳能电池板等领域中发挥着关键作用。二氧化锡靶材的溅射薄膜具有高透明度、良好的导电性和稳定性,能够满足半导体器件对高性能薄膜的需求。
2、光伏行业:
在光伏行业中,二氧化锡靶材被用于制备太阳能电池板中的透明导电薄膜。这些薄膜能够显著提高太阳能电池的光电转换效率,同时保持较高的稳定性和耐久性。二氧化锡靶材的溅射薄膜具有优异的透光性和导电性,有助于提升太阳能电池的整体性能。
3、光学与光电子行业:
二氧化锡靶材在光学与光电子行业中也具有重要的应用。它可以用于制备光学滤波器、反射镜和光波导等器件。这些器件在光纤通信、光学传感器和激光技术等领域中发挥着重要作用。二氧化锡靶材的溅射薄膜具有高折射率、低损耗和良好的光学性能,能够满足光学器件对高性能材料的需求。
4、其他领域:
此外,二氧化锡靶材还可以用于制备玻璃、陶瓷以及复合材料等领域中的高性能功能材料。这些材料在环保、建筑和航空航天等领域中具有广泛的应用前景。二氧化锡靶材的溅射薄膜能够赋予这些材料优异的性能,如提高抗腐蚀性、耐磨性和耐高温性等。
综上所述,二氧化锡靶材以其独特的物理性能和广泛的应用前景,在材料科学与技术领域中展现出了巨大的潜力和价值。随着科技的不断进步和应用领域的不断拓展,二氧化锡靶材的性能将进一步提升,其应用也将更加广泛和深入。
IGZO靶材中的IGZO是指氧化铟镓锌(Indium Gallium Zinc Oxide),它是一种由铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)和氧(O)组成的氧化物材料
IGZO靶材中的IGZO,全称为氧化铟镓锌(Indium Gallium Zinc Oxide),是一种由铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)和氧(O)组成的非晶氧化物半导体材料。IGZO靶材作为新型氧化物有源层材料,在高性能TFT(薄膜晶体管)器件制备中扮演着重要角色。其独特的材料特性和广泛的应用优势,使其成为半导体材料领域的一颗璀璨明星。我司专注研发与生产,铸就行业精品。公司生产氧化物靶材材料如下:
OXIDES 氧化物 |
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Aluminum Oxide (Al2O3) |
Magnesium Oxide (MgO) |
Antimony Oxide (Sb2O3) |
Zirconium-Magnesium Oxide(ZrMgO3) |
Barium Titanate (BaTiO3) |
Magnesium-Zirconium Oxide (MgZrO3) |
Bismuth Oxide (Bi2O3) |
Molybdenum Oxide (MoO3) |
Bismuth Titanate (Bi2Ti4O11) |
Nickel-Chrome Oxide (CrNiO4) |
Cerium Oxide (CeO2) |
Nickel-Cobalt Oxide(NiCoO2) |
Cobalt-Chrome Oxide (CoCr2O4) |
Niobium Pentoxide (Nb2O5) |
Chromium Oxide (Cr2O3) |
Rare Earth Garnets A3B2(SiO4)3 |
Chromium Oxide (Eu doped) |
Rare Earth Oxides (La2O3) |
Gallium Oxide (Ga2O3) |
Silicon Dioxide (SiO2) |
Germanium Oxide (GeO3) |
Silicon Monoxide (SiO) |
Hafnium Oxide (HfO2) |
Tantalum Pentoxide (Ta2O5) |
Indium Oxide (In2O3) |
Tin Oxide (SnO2) |
Indium-Tin Oxide (ITO) |
Titanium Dioxide (TiO2) |
Iron Oxide (Fe2O3) |
Tungsten Oxide (WO3) |
Lanthanum Oxide(La2O3) |
Yttrium Oxide (Y2O3) |
Lead Titanate(PbTiO3) |
Yttrium-Aluminum Oxide (Y3Al5O12) |
Lead Zirconate (ZrPbO3) |
Zinc Oxide (ZnO) |
Lithium Niobate (LiNbO3) |
Zinc Oxide/Aluminum Oxide (Al2O3) |
Lithium-Cobalt Oxide (CoLiO2) |
Zirconium Oxide (ZrO2) |
IGZO靶材的纯度通常高达99.99%(即4N+),这意味着其内部杂质含量极低,从而保证了材料的高质量和稳定性。高纯度是IGZO靶材在高性能电子器件中应用的基础,它确保了器件的可靠性和长寿命。此外,IGZO靶材的密度也相对较高,一般不低于6.30g/cm³,这为其在制备过程中提供了良好的致密性和结构稳定性。至于熔点,IGZO靶材中的各个组成氧化物熔点不同,但整体而言,IGZO材料具有较高的热稳定性,能够承受较高的温度而不发生显著的结构变化。
1、IGZO材料在半导体行业中展现出了一系列显著的应用优势。首先,IGZO具有优异的电子迁移率,其载流子迁移率是非晶硅的20~30倍。这一特性使得IGZO在制备高性能TFT器件时,能够实现更快的信号传输速度和更高的工作效率。其次,IGZO的能耗较低,响应时间短,这使得它在显示驱动领域具有得天独厚的优势。无论是LCD显示驱动还是OLED显示驱动,IGZO都能提供出色的显示效果和能效比。此外,IGZO还具有良好的柔性,可以应用于柔性显示屏的制备,为未来的可穿戴设备和便携式电子产品提供了更多的可能性。
2、在显示驱动应用领域,IGZO靶材已被夏普、三星、LG等知名公司开发并投入市场。基于IGZO TFT驱动的显示面板已被广泛应用于笔记本电脑、游戏笔记本电脑以及平板电脑等产品中。例如,戴尔的Dell XPS 13笔记本电脑、Razer的Razer Blade 14游戏笔记本电脑以及苹果的iPad mini 2和iPad Air都采用了IGZO技术。这些产品凭借出色的显示效果和能效比,赢得了消费者的广泛好评。
3、除了显示驱动领域,IGZO靶材还在传感应用和类脑系统等领域展现出巨大的潜力。在传感应用方面,IGZO可以作为光电探测器、压力传感器、pH传感器、气体传感器以及柔性传感器的材料,为物联网和智能家居等领域提供高性能的传感元件。在类脑系统方面,IGZO可以作为DRAM、RRAM等忆阻器的沟道材料,为神经形态计算和人工智能等领域提供新的解决方案。
4、此外,IGZO靶材的制备方法也多种多样,其中磁控溅射法和原子层化学气相沉积(ALCVD)是现阶段大规模制造中常用的方法。这些方法能够精确地控制IGZO靶材的元素配比和氧含量,从而优化其电学性能和稳定性。通过调整IGZO的元素比和成膜过程中的氧含量,可以进一步提升有源层的特性,保证生产节拍的同时提升器件的稳定性。
综上所述,IGZO靶材作为一种特性独特的材料,在半导体行业中展现出了广泛的应用前景和巨大的市场潜力。随着技术的不断进步和市场的不断拓展,IGZO靶材有望在更多领域实现突破和创新,为人类社会的科技进步和产业发展做出更大的贡献。
苏州中之纳半导体科技有限公司 | |
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国家/地区︰ | 江苏省苏州市 |
经营性质︰ | 生产商 |
联系电话︰ | 95613164 |
联系人︰ | 陈先生 (经理) |
最后上线︰ | 2024/11/27 |