富士IGBT模塊2MBI300VH-120

富士IGBT電源模塊提供，低傳導損耗和短路強度。它們是為以下應用而設計的三級應用。

特征
低VCE（sat）溝道IGBT技術；正溫度係數VCE（sat）；低開關損耗；最高結溫175oC；低電感外殼
快速和軟反向恢復反並聯FWD；採用DBC技術的隔離銅基板

典型應用
電機驅動逆變器
不間斷電源
太陽能發電

參數表

封裝尺寸

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