HCD850是一種空心陰極反應離子鍍設備，是利用空心陰極槍在弧光放電過程中發射電子流轟擊坩堝，熔融膜材，進一步在工件表面沉積形成緻密性非常高的硬質膜層。HCD技術可以集加熱、表面轟擊清洗、蒸發鍍膜于一體，並且通過弧光放電形成的高密度等離子體使金屬原子的離化率大大增加，達到20-40%，可以更方便地沉積高質量反應膜層。

 HCD具有離化率高，高能中性粒子密度大，繞鍍性好，低電壓，大電流，操作安全、方便等特點。主要應用於半導體、工具工業、光伏等應用領域。

設備參數

項目         空心陰極反應離子鍍

規格型號         HCD850

真空內腔         850×500mm

工件尺寸         Φ100

加熱溫度         400°C（PID調節）

空心陰極離子槍     1套

水冷坩堝         1套

旋轉工件架     0～15rpm

工作氣體         真空室MFC2路，空心陰極MFC1路

水壓         2×105Pa

氣壓         5×105Pa

真空系統         分子泵+機械泵

極限真空         ≤8×10-4Pa

設備功率         380V，平均功率5KVA，峰值功率20KVA

軟件特性         對加熱、真空、氣體、電源、信號、報警、操作權限、互鎖保護等進行控制

系統控制         MCGS+三菱PLC系統

系統特性         結構緊湊，全自動控制，設備性能高，工藝穩定性高，可批量處理

設備外形尺寸        L2700×W1200×H2024mm