矩形平面靶的磁場方向與靶面陰極平行，形成環形磁場，該磁場與電場E正交．當真空室內充入氬氣后，便被電離放電，放電產生的A+r離子轟擊陰極(靶)的表面．二次電子e1受磁場B的洛侖茲力作用，沿垂直于磁力線方向運動(如圖3所示)．這些電子運動路徑長，增加了氣體分子磁撞的機會，使氣體的電離几率增加，進而增大了濺射速率。

矩形平面靶的特點是結構簡單，通用性強，膜層均勻性與重複性好，離化率相對其他方式的要高一些．但缺點是靶材的利用率低，一般約為20%左右．當輝光區，即磁力線分布區域的靶材消耗到一定程度時，將形成條形凹坑，靶材體變薄，凹坑深度達到一定程度時，靶材就不能繼續使用。

目前針對貴金屬，平面靶採用特殊磁場設計，可以做到40%以上的利用率。

常用規格：靶面寬度60-80-120-160  長度200-1600之間。