滿足半導體集成電路，電力電子器件，光電子等行業用於在硅片上澱積Si O2、Si 3N4、Poly-Si、磷硅玻璃、硼硅玻璃、非晶硅及難熔金屬硅化物等多種薄膜工藝。 CVD系統性能特點：
結構形式：1—4管臥式熱壁型
硅片規格：2—8英吋硅片(或125×125mm、156×156mm方片)
溫度範圍：300～1100℃
恆溫區長度及精度：200mm—1000mm(±1℃／24h)
澱積薄膜均勻性： 片內±5％      片間±5％      批間±5％
沉積膜厚度：600～15000A
系統極限真空度：優于1Pa
工作壓力範圍：20～133Pa閉環控制
控制方式：工業微機
送料裝置：懸臂推拉舟、軟着陸系統
澱積薄膜分類：Si 3N4、Si02、PSG、Pply-Si膜
真空泵：羅茨泵、機械泵
工藝氣路：5路氣／管。VCR接口
40KFIz脈寬調製AE高頻電源
裝片量：200片／舟