编号

设备配置

具体指标

1

晶片尺寸

8"，使用载盘可以适用于2", 3", 4", 6" 晶圆, 以及小片样品)

2

等离子源

PTSA ICP等离子源

13.56 MHz, 功率1200 W

集成自动匹配网络

3

射频偏置电源

13.56 MHz, 600 W

4

电极温控

-30?C ~ 250?C （低温可选-150 ?C）

5

反应腔本底真空

≤ 1 x 10-6 mbar

6

气体管路

标准气柜***多可以配置16路气体管道。（可以增加气柜）

7

PC

Windows 7 Professional

SENTECH高级等离子设备操作软件

8

预真空室

配置。

9

He晶片冷却

配置。

10

机械钳

配置。

11

深硅刻蚀典型指标

-  刻蚀速率：     2~5 ?m/min

-  选择比(SiO2)： 90:1

特性:

l 全自动/手动过程控制

l Recipe控制刻蚀过程

l 智能过程控制，包括跳转、循环调用recipe

l 多用户权限设置

l 数据资料记录

l LAN网络接口

l Windows NT 操作软件

选项:

l 增加气路

l PTSA源石英窗口

l 在线监测窗口，穿过PTSA源

l 循环冷却器，用于下电极温度控制 (-30?C to 80?C)

l 高密度等离子体磁性衬板

l 对等离子源和磁性衬板的外部升高装置

l Cassette到cassette操作方式

l 穿墙式安装方式

l 干涉式终点探测和刻蚀深度测量系统